產(chǎn)品描述
PECVD化學氣相沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品簡介：此款設(shè)備配有Plasma實現(xiàn)等離子增強，滑軌式設(shè)計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調(diào)裝置，可準確的控制反應腔體內(nèi)部的氣體壓力，帶刻度的調(diào)節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
主要功能和特點：
1、利用輝光放電產(chǎn)生等離子體電子激活氣相；
2、提高了氣相反應的沉積速率、成膜質(zhì)量；
3、可通過調(diào)整射頻電源頻率來控制沉積速率；
4、能廣泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。
參數(shù)簡介：
反應室 | 爐管尺寸 | φ60/100/150mm | |
加熱元件 | HRE合金絲 | ||
測溫元件 | N型熱電偶 | ||
加熱長度 | 440/600/900mm | ||
工作溫度 | ≤1100℃ | ||
控溫模式 | 模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶啟動緊急信號功能 | ||
控溫精度 | ?1℃ | ||
升溫速率 | ≤20℃/min | ||
電功率 | AC220V/50HZ | ||
供氣系統(tǒng) | 標準量程 | 50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）； | |
壓力表測量范圍 | -0.1Mpa～0.15Mpa | ||
較限壓力 | 3MPa | ||
針閥 | 316不銹鋼 | ||
截止閥 | Φ6mm 316不銹鋼針閥 | ||
電功率 | AC220V/50HZ/20W | ||
響應時間 | 氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec | ||
準確度 | ?1.5% | ||
線性 | ?0.5～1.5% | ||
重復精度 | ?0.2% | ||
接口 | Φ6,1/4'' | ||
真空系統(tǒng) | 工作電電壓 | 220V?10% 50~60HZ | |
功率 | 400W | ||
抽氣速率 | 4L\s | ||
較限真空 | 4X10-2Pa | ||
實驗真空度 | 1.0X10-1Pa | ||
容油量 | 1.1L | ||
進氣口口徑 | KF25 | ||
排氣口口徑 | KF25 | ||
轉(zhuǎn)速 | 1450rpm | ||
射頻電源 | 信號頻率 | 13.56 MHz?0.005% | |
功率輸出范圍 | 3W-300W 5W-500W可選 | ||
額定反射功率 | 200W | ||
射頻輸出接口 | 50 Ω, N-type, female | ||
功率穩(wěn)定度 | ?0.1% | ||
諧波分量 | ≤-50dbc | ||
供電電壓 | 單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ | ||
整機效率 | >=70% | ||
功率因素 | >=90% | ||
冷卻方式 | 強制風冷 | ||
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